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31513030210-3硅基GaN单芯片电源电路技术研究

发布时间:2019-04-30 对接截止时间:2019-05-16 点击数:824 已对接企业数量:
功能用途
主要指标
研究方向:针对高功率密度、高耐压、高速功率集成电路的发展趋势,开展硅基GaN单芯片集成电路技术探索,为发展高效、小型化新型功率电子电路奠定基础。 牵引性指标:研制一款满足装备需求的硅基GaN单芯片电源产品样品,电路关键指标为:(1) 硅基GaN单芯片电源电路,输出电流大于1A;(2) 硅基GaN晶圆上单芯片集成E-Mode GaN HFET、D-Mode GaN HFET、Rectifier、电阻、电容;(3) E-Mode 功率GaN器件阈值VTH>1.5 V,源漏击穿电压Vds>100 V,栅极可工作电压≥6V;(4) 立足国内6英寸及以上硅基GaN材料与工艺平台;(5) 技术成熟度达到5级。 进度要求:2019-2020年。 成果形式:样品、研究报告、论文、专利等。 最大支持单位数:1。每家单位申报经费限额300万元。
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